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Galaxy S26 vs. Galaxy S25: Cameras

物理遮蔽光线,永远比纯靠前置摄像头识别人脸去隐藏通知或是干脆贴上物理的光栅防窥膜来得更彻底。这项技术一旦铺开,那些劣质防窥膜大概率会被彻底扫进历史的垃圾堆。

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如今,“小天才圈”已形成专属“黑话”和规矩:“刷”指加好友点赞后立即删除,“禁蹭”是“扩列”群中不得随意添加他人好友,“后门”则意味着成为特定对象的专属好友,不会被对方单方面删除。

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在传统存储产品方面,10nm以下DRAM制造工艺正成为主流,并逐步向7nm工艺突破,通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后,“垂直堆叠”难度加剧,厂商转向“水平扩展+架构优化”,比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构,同时引入“HKC(高K介质+金属栅)”技术,解决高层数堆叠的漏电、散热问题,制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。